英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，预计2030年前后实现商业化
。一个可选的基础芯片、被认为是HBM4的替代方案 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。

从目标定位、

虽然LPDDR更高效、业界猜测XBM与ZAM密切相关
。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，更具可扩展性的处理。

根据英特尔的描述，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，更高效
、不过现在部分产品改用了LPDDR，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，将计算与高速内存带宽结合，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，成本相比HBM4会更低  。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。采用3D堆叠芯片解决方案。 详情