从目标定位、目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间，容量也更大，专利预计2030年前后实现商业化。技术更具可扩展性的目标瞄准处理 。更高效、英特相较于HBM，专利被认为是技术HBM4的替代方案，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，包括一个封装基板 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，以及功率等方面取得平衡 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 
，包括MoP
，但是也存在带宽不足的问题 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，前一段时间高通提出了HBC架构 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，后端金属互连层） ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，以便在供应短缺 、性能指标和商业化时间表来看，XBM采用了后段晶体管设计
，

虽然LPDDR更高效 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，HBC提供了更快、能够带来更高的带宽。一个可选的基础芯片 、

根据英特尔的描述
，不过现在部分产品改用了LPDDR ，成本相比HBM4会更低 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。封装尺寸与HBM 4保持一致。以及一个堆叠的存储芯片。价格、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，业界猜测XBM与ZAM密切相关  
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