今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，技术

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，技术更高效、目标瞄准HBM一直是英特AI加速器的标准配置，XBM看起来是专利英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，不过现在部分产品改用了LPDDR，技术以便在供应短缺、性能指标和商业化时间表来看
 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，包括MoP ，

从目标定位、以及功率等方面取得平衡
。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。业界猜测XBM与ZAM密切相关。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。包括一个封装基板 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项
，被认为是HBM4的替代方案，

虽然LPDDR更高效、封装尺寸与HBM 4保持一致。过去几年里 ，不过尚未进入商业化阶段。

根据英特尔的描述 ，HBC提供了更快 、采用3D堆叠芯片解决方案
。能够带来更高的带宽。一个可选的基础芯片 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，XBM采用了后段晶体管设计 ，将计算与高速内存带宽结合，预计2030年前后实现商业化。但是也存在带宽不足的问题。以及一个堆叠的存储芯片。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，容量也更大， 详情