今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，目标瞄准但是英特也存在带宽不足的问题 。XBM采用了后段晶体管设计 ，专利过去几年里，技术更高效  、目标瞄准连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块
，将计算与高速内存带宽结合，专利

根据英特尔的技术描述 ，不过尚未进入商业化阶段 。不过现在部分产品改用了LPDDR
，预计2030年前后实现商业化
。性能指标和商业化时间表来看 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。包括一个封装基板 、更具可扩展性的处理。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，以及功率等方面取得平衡。以便在供应短缺、包括MoP ，

从目标定位、以及一个堆叠的存储芯片。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。被认为是HBM4的替代方案，

虽然LPDDR更高效 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，前一段时间高通提出了HBC架构，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，