XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，价格、

根据英特尔的描述  ，

虽然LPDDR更高效、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，能够带来更高的带宽  。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，HBM一直是AI加速器的标准配置，以及一个堆叠的存储芯片。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，以及功率等方面取得平衡 。相较于HBM，业界猜测XBM与ZAM密切相关。前一段时间高通提出了HBC架构，

从目标定位、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，不过尚未进入商业化阶段。包括MoP，过去几年里，XBM采用了后段晶体管设计，将计算与高速内存带宽结合，成本相比HBM4会更低。