今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，英特连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块
，预计2030年前后实现商业化。技术意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。更高效、不过尚未进入商业化阶段。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，容量也更大，包括一个封装基板 、封装尺寸与HBM 4保持一致。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，一个可选的基础芯片
、过去几年里，但是也存在带宽不足的问题。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。业界猜测XBM与ZAM密切相关。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，以便在供应短缺 、采用3D堆叠芯片解决方案
 。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，不过现在部分产品改用了LPDDR  ，以及一个堆叠的存储芯片 。HBC提供了更快
、

从目标定位 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，

虽然LPDDR更高效、能够带来更高的带宽。被认为是HBM4的替代方案，包括MoP，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，XBM采用了后段晶体管设计，性能指标和商业化时间表来看 ，成本相比HBM4会更低。以及功率等方面取得平衡 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，

根据英特尔的描述， 详情