根据英特尔的目标瞄准描述，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。英特包括一个封装基板 、专利包括MoP ，技术
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，
虽然LPDDR更高效、
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。采用3D堆叠芯片解决方案 。不过尚未进入商业化阶段 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，过去几年里 ，后端金属互连层） ，
意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，预计2030年前后实现商业化 。性能指标和商业化时间表来看 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，以及一个堆叠的存储芯片。成本相比HBM4会更低 。以便在供应短缺 、XBM采用了后段晶体管设计 ，从目标定位 、一个可选的基础芯片、价格 、相较于HBM ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，能够带来更高的带宽 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，更具可扩展性的处理 。被认为是HBM4的替代方案，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，封装尺寸与HBM 4保持一致 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，以及功率等方面取得平衡 。
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