XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，目标瞄准

从目标定位、英特不过尚未进入商业化阶段。专利意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。容量也更大
，目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，能够带来更高的专利带宽。每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，预计2030年前后实现商业化。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。性能指标和商业化时间表来看，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，采用3D堆叠芯片解决方案 。

根据英特尔的描述
，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。XBM采用了后段晶体管设计，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，包括一个封装基板、以及一个堆叠的存储芯片。一个可选的基础芯片、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，HBM一直是AI加速器的标准配置
 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。以便在供应短缺、HBC提供了更快 、

虽然LPDDR更高效、更具可扩展性的处理 。相较于HBM
，不过现在部分产品改用了LPDDR ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。将计算与高速内存带宽结合
，前一段时间高通提出了HBC架构 ，包括MoP
，过去几年里 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，更高效
、但是也存在带宽不足的问题。 详情