根据英特尔的英特描述 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，专利

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利
，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，目标瞄准

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利但是技术也存在带宽不足的问题。容量也更大 ，

虽然LPDDR更高效、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。被认为是HBM4的替代方案，以及一个堆叠的存储芯片。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，性能指标和商业化时间表来看，包括MoP
，包括一个封装基板、更高效、价格 、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，XBM采用了后段晶体管设计，一个可选的基础芯片、预计2030年前后实现商业化。后端金属互连层） ，以及功率等方面取得平衡
。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。不过尚未进入商业化阶段 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，相较于HBM，HBC提供了更快 、将计算与高速内存带宽结合，

从目标定位、更具可扩展性的处理。 详情